MODUL DRAM

Ditemui pada tahun 2008, Syarikat kumpulan kami telah berada di kawasan ingatan kilat OEM hampir 15 tahun, Modul DRAM OEM, SSD OEM, PEMACU DENYAK USB OEM, KAD TF OEM, sebagai pembekal memori kilat OEM profesional, Kami Tertumpu dalam menawarkan perkhidmatan kepada pelanggan jenama utama , peniaga utama dan pengedar negara. Untuk menyokong peniaga dan pengedar negara dengan lebih baik, kami mempunyai barangan sedia biasa di HongKong dan ShenZhen, kami menjual lebih daripada 1 juta pcs setiap bulan.

Hantar pertanyaan

Kami terutamanya menyokong DDR3, DDR4 untuk pelanggan yang juga menjalankan perniagaan SSD, kepada pelanggan jenama atau kilang komputer, kami juga mempunyai LPDDR yang kini hanya menyokong pelanggan telefon bimbit dan IPAD utama China Inland dan beberapa pelanggan jam tangan pintar. Dengan prestasi tinggi dan penggunaan yang lebih rendah, ia bagus untuk peranti pintar bersaiz kecil.

Parameter Teknikal Dram/LPDDR:

KATEGORI PRODUK	SPESIFIKASI / KADAR DATA MAKS	KETUMPATAN	PAKEJ	BEROPERASI SUHU
DRAM	DRAM D3	2Gb / 4Gb	Bola FBGA 96	25 darjah ~85 darjah
DRAM	DRAM D4	4Gb / 8Gb	Bola FBGA 96
Modul DRAM	U-DIMM	4GB / 8GB / 16GB/32GB	/	0 darjah - 85 darjah
	SO-DIMM
	R-DIMM	8GB/16GB/32GB	/	0 darjah - 85 darjah
LPDDR	LP DDR4	2GB / 3GB / 4GB / 6GB / 8GB	200Bola	0 darjah - 70 darjah

Spesifikasi:

Model Produk No.	Spesifikasi	Ketumpatan	Dimensi	Pakej
DRAM U-DIMM /SO-DIMM	8GB X8/X16 1.2V*2666/2933/3200Mbps	8GB	7.5 x 13.3mm (W x L)	78Bola/96Bola
DRAM U-DIMM /SOD-IMM	16GB X8/X16 1.2V*2666/2933/3200Mbps	16GB	10.3 x 11mm (W x L)	78Bola/96Bola
DRAM U-DIMM /SO-DIMM	32GB X8/X16 1.2V*2666/2933/3200Mbps	32GB	10.3 x 11mm (W x L)	78Bola/96Bola

Modul yang tersedia:

Bahagian Nombor 1)	Ketumpatan	Organisasi	Komposisi Komponen	Sebilangan pangkat	Ketinggian
4GB UDIMM	4GB	512Mx64	512Mx16 * 4	1	31.25 mm
8GB UDIMM	8GB	1Gx64	1Gx8 * 8	1	31.25 mm
16GB UDIMM	16GB	2Gx64	1Gx8 * 16	2	31.25 mm
4GB SODIMM	4GB	512Mx64	512Mx16 * 4	1	30 mm
8GB SODIMM	8GB	1Gx64	1Gx8 * 8	1	30 mm
16GB SODIMM	16GB	2Gx64	1Gx8 * 16	2	30 mm

CATATAN:

1) (2133Mbps 15-15-15) / (2400Mbps 17-17-17) / (2666Mbps 19-19-19) / (3200Mbps 22-22-22) / (3200Mbps 16-18-18) - DDR{ {12}}(3200Mbps 16-18-18) adalah serasi ke belakang kepada frekuensi yang lebih rendah.

CIRI-CIRI UTAMA

Kelajuan	DDR4-2133	DDR4-2400	DDR4-2666	DDR4-3200	DDR4-3200	DDR4-3200	Unit
Kelajuan	15-15-15	17-17-17	19-19-19	22-22-22	19-19-19	16-18-18	Unit
tCK(min)	0.938	0.833	0.75	0.625	0.625	0.625	NS
Kependaman CAS	15	17	19	22	19	16	nCK
tRCD(min)	14.06	14.16	14.25	13.75	11.875	11.25	NS
tRP(min)	14.06	14.16	14.25	13.75	11.875	11.25	NS
tRAS(min)	33	32	32	32.5	30.0	22.5	NS
tRC(min)	47.06	46.16	46.25	46.25	41.875	33.75	NS

●JEDEC standard 1.2V ± 0.06V Bekalan Kuasa

●V_DDQ= 1.2V ± 0.06 V

●1067MHz f_CKuntuk 2133Mb/sec/pin,1200MHz f_CKuntuk 2400Mb/sec/pin 1333MHz fCK untuk 2666Mb/sec/pin,1600MHz fCK untuk 3200Mb/sec/pin

●16 Bank (4 kumpulan G Bank)

●Latensi CAS Boleh Aturcara: 10 ,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,21, 22

●Latensi Tambahan Boleh Aturcara (CAS Disiarkan): Jam 0, CL - 2 atau CL - 1

●Kependaman Tulis CAS Boleh Aturcara (CWL)=11,14 (DDR4-2133), 12,16 (DDR4-2400) dan 14,18 (DDR4- 2666) • Panjang Letusan : 8, 4 dengan tCCD=4 yang tidak membenarkan membaca atau menulis dengan lancar [sama ada On the fly menggunakan A12 atau MRS]

●Strob Data Berbeza dua arah

●On Die Penamatan menggunakan pin ODT

●Purata Tempoh Muat Semula 7.8us pada lebih rendah kemudian TCASE 85C, 3.9us pada 85C < TCASE  95C

●Asynchronous Reset

FUNGSI BLOCK DIAGRAM untuk:

4GB,512M x 64Modul (Diisi sebagai 1pangkat bagi SDRAM x16DDR4 )

CATATAN :

1) Melainkan dinyatakan sebaliknya, nilai perintang ialah 150Ω 5 peratus .

2) Perintang ZQ ialah 2400Ω 1 peratus. Untuk semua nilai perintang lain rujuk gambarajah pendawaian yang sesuai.

8GB,1Gx64Modul (Diisi sebagai 1pangkat x 8DDR4 SDRAM)

Cool tags: dram modul, borong, harga, pukal, OEM, 1 GB Pendrive, Compact Flash Memory Card Adapter, dr, USB adapter သို့ micro card, USB Flash Controller