Mengenai Cip

Selepas penciptaan dan pengeluaran besar-besaran transistor, pelbagai komponen semikonduktor keadaan pepejal, seperti diod dan transistor, digunakan secara meluas, menggantikan fungsi dan peranan tiub vakum dalam litar. Pada pertengahan dan akhir abad ke-20, kemajuan teknologi pembuatan semikonduktor memungkinkan litar bersepadu. Berbanding dengan pemasangan litar manual menggunakan komponen elektronik diskret individu, litar bersepadu boleh menyepadukan sejumlah besar tiub kristal mikro ke dalam cip kecil, yang merupakan satu kemajuan yang hebat. Kapasiti pengeluaran berskala besar, kebolehpercayaan litar bersepadu dan kaedah modular reka bentuk litar memastikan litar bersepadu terpiawai digunakan dengan cepat dan bukannya transistor diskret dalam reka bentuk.

Litar bersepadu mempunyai dua kelebihan utama berbanding transistor diskret: kos dan prestasi. Kos yang rendah adalah disebabkan oleh fakta bahawa semua komponen cip dicetak sebagai satu unit oleh fotolitografi, dan bukannya membuat hanya satu transistor pada satu masa. Prestasi tinggi adalah disebabkan oleh pensuisan komponen yang pantas, yang menggunakan lebih sedikit tenaga, kerana komponennya kecil dan berdekatan antara satu sama lain. Pada tahun 2006, kawasan cip meningkat daripada beberapa milimeter persegi kepada 350 mm ², Per mm ² Ia boleh mencapai satu juta transistor.

Prototaip litar bersepadu pertama telah disiapkan oleh Jack Kilby pada tahun 1958, yang termasuk transistor bipolar, tiga perintang dan kapasitor.